FETの計測

今日はお休み

寒いし

肋骨折れてるし

どこかに出かける気?など全く起こらない

鎮痛剤飲んで

少し前から気になっていたことを

試してみることにした

このページで(英語)

Fetzer ValveというFETブースターの研究が書かれていて

FET(電磁電界トランジスタ)の選別やら、

回路定数の決定の仕方が書かれているのだが

私のつたない知識と、かなり違っているので

気になって仕方がない

Some remarks on the gain formulae are:

  • Rd must be greater than twice Rs or the gain will be less than unity.
  • Vcc must be approximately greater than 4*|Vp| or the gain will be less than unity.
  • Gain depends on Vcc and Vp only, and is independent of Idss.
  • Gain increases as Vcc is increased or |Vp| is decreased.

訳してみる(信用するな!)

ゲイン式に関するいくつかの注意事項は次のとおり:

  • Rd(ドレイン抵抗)はRs(ソース抵抗)の2倍より大きくなければいけません。そうでないと、ゲインは1より小さくなります。
  • Vcc(電源電圧)はVpのおよそ4倍より大きくなければいけません。 そうでないと、ゲインは1より小さくなります。
  • ゲインはVccとVpのみに依存し、Idssとは無関係です。
  • Vccが増えるか、または Vp が減少すると、ゲインが上がります。

特に1番目のRdとRsの関係についてが分からない

Rd(ドレイン抵抗)をRs(ソース抵抗)の2倍にすると

ゲインは2倍=6dBのアップになるはず

単純なソース設置回路だから、

増幅回路だと思うのだが・・・

定数の決め方についても、私の持つ教科書とは全く異なる

VpとIDSSの測定

同サイトの記事のまま

やり方、合ってるかな

いろんなFETを計測してみた

同じ型番でもロットによってばらつきがあって、

その辺りは噂どうりだが、

前述のこのページのカリキュレーターに数値を入れると

私の今までの知識とは全く違った定数が算出される

うーーん、困ったなあ

(o・。・o)あっ!そっか。

そうだよね

数値ぢゃなくて

自分の耳で決めろってことね

了解!